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[单选题]

如图所示,R1和R2构成VRID为1的VRRP备份组,以下关于VRRP主备选举过程的描述,错误的是()。如图所示,R1和R2构成VRID为1的VRRP备份组,以下关于VRRP主备选举过程的描述,错误的是(

A.同时启动的情况下,R1比R2更快切换至Master状态

B.最终R1会发送免费ARP报文

C.两台设备完成初始化后都会先切换至Backup状态

D.两台设备在各自NASTERDoV定时器超时时间后,都会切换至Master状态

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更多“如图所示,R1和R2构成VRID为1的VRRP备份组,以下关于VRRP主备选举过程的描述,错误的是()。”相关的问题

第1题

如图所示,R1和R2是VRID为()(填写阿拉字)的VRRP备份组,其中,R1的State为(),R2的State为()。(填写英文,注意首字母大写)。

如图所示,R1和R2是VRID为()(填写阿拉字)的VRRP备份组,其中,R1的State为(),R

A.1

B.Master

C.Backup

D.本题为填空题,答案依次参考选项A/B/C

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第2题

电路如图题6.2.4 所示,已知BJT的β1 =β2=β3=50, rce=200 kΩ VBE =0.7 V,试求单端输出的差模电
压增益Avd2、共模抑制比KCMR2、 差模输入电阻Rid和输出电阻Ro。

提示: (1) T3 、R1、 R2和Re3构成BJT电流源;

(2) AB 两端的交流电阻。

电路如图题6.2.4 所示,已知BJT的β1 =β2=β3=50, rce=200 kΩ VBE =

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第3题

如图所示,ε12、r1≠r2,电压表如图所示,ε1=ε2、r1≠r2,电压表的读数为零,则电阻R为( ) 的读数为零,则电阻R为( )如图所示,ε1=ε2、r1≠r2,电压表的读数为零,则电阻R为( )

A.r1+r2

B.如图所示,ε1=ε2、r1≠r2,电压表的读数为零,则电阻R为( )

C.r1-r2

D.r2-r1

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第4题

如图所示,长直电缆由半径为R1的导体圆柱与同轴的内外半径分别为R2和R3的导体圆筒构成,电流沿轴线方向由一导体流入,从另一导体流出,设电流强度I都均匀地分布在导体的横截面上,求距轴线为r处的磁感应强度大小(0
如图所示,长直电缆由半径为R1的导体圆柱与同轴的内外半径分别为R2和R3的导体圆筒构成,电流沿轴线方向由一导体流入,从另一导体流出,设电流强度I都均匀地分布在导体的横截面上,求距轴线为r处的磁感应强度大小(0

如图所示,长直电缆由半径为R1的导体圆柱与同轴的内外半径分别为R2和R3的导体圆筒构成,电流沿轴线方向由一导体流入,从另一导体流出,设电流强度I都均匀地分布在导体的横截面上,求距轴线为r处的磁感应强度大小(0<r<∞)。

如图所示,长直电缆由半径为R1的导体圆柱与同轴的内外半径分别为R2和R3的导体圆筒构成,电流沿轴线方

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第5题

如图所示电路,已知R1=2Ω,R2=4Ω,L=1H,C=0.5F,us(t)=2e-tε(t)V,列出i(t)的微分方程,求其零状态响应。

如图所示电路,已知R1=2Ω,R2=4Ω,L=1H,C=0.5F,us(t)=2e-tε(t)V,列出i(t)的微分方程,求其零状态响应。

如图所示电路,已知R1=2Ω,R2=4Ω,L=1H,C=0.5F,us(t)=2e-tε(t)V,列

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第6题

如图所示,R1与R2组成一个VRRP备份组1,通过在R1执行vrrpvrid1virtual-ip()命令,可以使其成为IP地址拥有者,让R1为Master、R2为Backup。

如图所示,R1与R2组成一个VRRP备份组1,通过在R1执行vrrpvrid1virtual-ip(

A.192.168.1.254

B.此题为填空题,答案请参考选项A

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第7题

一单芯同轴电缆的构造是中间为半径R1的金属导线,其外包着两层同轴圆筒状均匀电介质,两层电介质分
界面的半径为R,内外两层电介质的相对介电系数为εr1,和εr2且εr1=2εr2。最外面是同轴金属圆柱筒,筒的内半径为R2,且R2<2R1,如图所示。假设两种电介质的击穿场强均为Eb,试求: (1)当电压升高时,哪层电介质先被击穿; (2)此电缆承受的最大电压; (3)此电缆单位长度的电容C。

一单芯同轴电缆的构造是中间为半径R1的金属导线,其外包着两层同轴圆筒状均匀电介质,两层电介质分界面的

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第8题

图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电

图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5~7)V,试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管,电源电压数值不变,试问晶体管与外电路应如何连接,为保持集电极电压|VO|、电流IC不变,试计算R1、R2值。

图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VB

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第9题

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题如图所示电路中,R1=2Ω,XC1=1Ω,R2=1Ω,XL=2Ω,XC2=3Ω,(1)求电路的总阻抗;(2)该电路呈什么性质?(3)若电源电压有效值u=220V,求电源供出的电流和电容C,上的电压u1

题如图所示电路中,R1=2Ω,XC1=1Ω,R2=1Ω,XL=2Ω,XC2=3Ω,(1)求电路的总阻

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第10题

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球形电容器由半径为R1的导体球和与它同心的导体球壳构成,球壳内半径为R2、外半径为R3。导体球与球壳之间充满两层相对介电常数分别为εr1和εr2的均匀电介质,分界面的半径为R2,已知内球带电量为-Q,试求:(1)各介质表面上的束缚面荷密度σ;(2)电容器的静电能和电场总能量。

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第11题

如图所示的电路中,R1=R2=1欧姆,R3=4欧姆,E1=12V,E2=6V。求各支路电流。

如图所示的电路中,R1=R2=1欧姆,R3=4欧姆,E1=12V,E2=6V。求各支路电流。

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