更多“总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。()”相关的问题
第1题
直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
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第2题
动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。
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第3题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
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第4题
两电容串联后总的等效容量为两者之和。（)
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第5题
采用“人体电容法”进行管道防腐层漏点检测时，如“增益”调至6，表头读数为80~90μA，表示已到发射机射程的60%，可以继续向前测试。（)
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第6题
电解法露点分析仪利用五氧化二磷等材料吸湿后分解成极性分子，从而在电极上（)的特性，设计出建立在绝对含湿量单位制上的电解法微水份仪。
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第7题
两个100Pf的电容串联，其总电容是50Pf。（)
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第8题
电容和电感在电路中对交流电引起的阻碍作用总称为电抗。（)
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第9题
附图中所标电容值的单位是微法， 求A、B间的总电荷。
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第10题
在电阻电容串联电路中，总电压是各分电压的向相量和，而不是代数和。（)
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第11题
在题3.9图所示的电路中，已知R1=R2=10Ω，L=31.8mH，C=318μF，f=50Hz，U=10V，求各支路电流、
总电流及电容电压。
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