题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)
A.多子积累
B.多子耗尽
C.平坦能带
D.本征状态
E.少子反型
F.少子积累G、少子耗尽
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（请给出正确答案）
A.多子积累
B.多子耗尽
C.平坦能带
D.本征状态
E.少子反型
F.少子积累G、少子耗尽
答案
更多“理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有?()”相关的问题
第1题
A.某些晶体在外加电场的作用下，其折射率随外加电场的变化而变化的现象。
B.某些晶体在外加电场的作用下，吸收系数随外加电场的变化而变化的现象。
C.某些晶体在外加电场的作用下，反射率随外加电场的变化而变化的现象。
D.以上说法都不对。
第2题
A.MIS的目标是提高效益，DSS的目标是提高管理水平
B.MIS强调分散管理，DSS强调集中管理
C.MIS主要面向结构化系统，DSS处理半结构、非结构化系统
D.MIS强调模型应用，DSS强调数据分析
第3题
如题9-8图(a)所示，滑块C的质量为m=19.6kg,在力F=866N的作用下沿倾角为30°的导杆AB运动。已知力F与导杆AB之间的夹角为45°，滑块与导杆的动摩擦因数f=0.2，初瞬时滑块静止，试求滑块的速度增大到v=2m/s时所需的时间。
第4题
以下是典型的计算机信息系统，
Ⅰ．TPS
Ⅱ．MIS
Ⅲ．DSS
Ⅳ．OIS
其中，解决半结构化或非结构化问题的有哪个(些)？
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
第6题
A.构件在作用短期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现拉应力的预应力混凝土结构
B.构件在作用短期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现预应力的预应力混凝土结构
C.构件在作用长期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现拉应力的预应力混凝土结构
D.构件在作用长期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现预应力的预应力混凝土结构
第8题
试分别求图10-2-76所示结构在q1或q2作用下的内力,设横梁I=∞.(a)I1=I2,(b)I=1000l2.
第9题
A.在病因作用下，机体处在不良状态
B.在病因作用下，细胞出现功能、代谢和形态结构的变化
C.在病因作用下，因机体自稳调节紊乱而发生的异常生命活动过程
D.在病因作用下机体与外界环境的协调发生障碍
E.在病因作用下体内各种功能活动进行性下降
第11题
某系统结构如图所示，其中
试设计校正环节Ct(s)，使该系统在输入r(t)=t作用下的稳态误差为零。
