题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)
A.本征状态
B.平坦能带状态
C.多子积累状态
D.深耗尽状态
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A.本征状态
B.平坦能带状态
C.多子积累状态
D.深耗尽状态
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更多“对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)”相关的问题
第1题
A.某些晶体在外加电场的作用下，其折射率随外加电场的变化而变化的现象。
B.某些晶体在外加电场的作用下，吸收系数随外加电场的变化而变化的现象。
C.某些晶体在外加电场的作用下，反射率随外加电场的变化而变化的现象。
D.以上说法都不对。
第2题
A.构件在作用短期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现拉应力的预应力混凝土结构
B.构件在作用短期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现预应力的预应力混凝土结构
C.构件在作用长期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现拉应力的预应力混凝土结构
D.构件在作用长期效应组合下控制截面的受拉边缘可出现预应力的预应力混凝土结构
第5题
试分别求图10-2-76所示结构在q1或q2作用下的内力,设横梁I=∞.(a)I1=I2,(b)I=1000l2.
第6题
A.在病因作用下，机体处在不良状态
B.在病因作用下，细胞出现功能、代谢和形态结构的变化
C.在病因作用下，因机体自稳调节紊乱而发生的异常生命活动过程
D.在病因作用下机体与外界环境的协调发生障碍
E.在病因作用下体内各种功能活动进行性下降
第7题
某系统结构如图所示，其中
试设计校正环节Ct(s)，使该系统在输入r(t)=t作用下的稳态误差为零。
第10题
商品的形态、结构等在光、热、氧、酸、碱、温度、湿度等作用下，发生改变的性质是指 ()。
A．商品的物理性质
B．商品的机械性质
C．商品的化学性质
D．商品的外在性质
第11题
一个二阶IIR网络的系统函数为
用6位字长的定点算法来实现，尾数作舍入处理。
(a)在正准型结构下，画出信号流图，并且标明乘积项有限字长效应所产生的误差的输入点。
(b)计算由于乘积的有限字长效应所产生的输出噪声功率。
(c)对于级联型结构，重复(a)、(b)。
(d)对于并联型结构，重复(a)、(b)。
