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[判断题]

制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)

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发布时间：2022-06-16

更多“制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。()”相关的问题

第1题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题

动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。

A.刷新

B.存储

C.充电

D.放电

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第3题

当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第4题

地下工程特殊施工技术说法不正确的有（)。

A.长距离顶管的顶力问题可以用局部气压来解决

B.夯管锤铺900mm直径管道，最佳夯进长度不超过90m

C.夯管锤铺管要求管道材料必须是钢管

D.当沉井制作高度较大时，基坑上应铺设≥0.6m的砂垫层

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第5题

在管沟施工测量定位时，测量之前先找出固定水准点，其精度不低于（）。

A.Ⅰ级

B.Ⅱ级

C.Ⅲ级

D.Ⅳ级

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第6题

在管沟等湿度较高的场所，灯具安装高度低于2.2m时，应采用24V以下的安全电压（)

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第7题

对易霉腐的商品在储存时必须严格控制温、湿度，并做好商品防霉和除霉工作。A．正确B．错误

对易霉腐的商品在储存时必须严格控制温、湿度，并做好商品防霉和除霉工作。

A．正确

B．错误

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第8题

CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示，将电流源I_REF换成电阻R_REF。设所有

CMOS共源放大电路如图题4.11.2（主教材图4.6.8a)所示，将电流源I_REF换成电阻R_REF。设所有

MOS管的|V_T|=0.8V，λ=0.01v^-1。NMOS管的K_n=80μA/V₂，(W/L)T₁=15;PMOS管的K_n=40μA/V₂，(W/L)T₂·T₃=30，V_DD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻R_REF的电流为0.2mA时，确定电阻R_REF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v₀=f(v₁)，并求当v_o位于中点时对应的v₁值;(3)求小信号电压增益。