直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高

答案

查看答案

发布时间：2022-05-13

更多“直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是()。”相关的问题

第1题

在图9.4.3的非对称式多谐振荡电路中，R_F=12kΩ，R_p2=33kΩ，C=0.001μF，反相器的高电平输出电

阻和低电平输出电阻均为100Ω，阈值电VTH等于V_DD/2，试求电路的振荡频率。

点击查看答案

第2题

在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中，若设输出中频频率f₁=1MHz，输入信号v_s(t)=0.01

在图NPS4-7（a)所示三极管混频原理电路中，若设输出中频频率f₁=1MHz，输入信号v_s（t)=0.01

sin(2π×10⁶)(V)，直流偏置电压V_BBO=0.6V，本振电压v_L(t)=0.1sin(2π×3×10⁶t)(V)，电源电压V_cc=12V，晶体管T选用Q2N2222。(1)选择L和C值，使输出振荡回路谐振在1MHz上，回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压v0的峰-峰值。(3)进行频谱分析，分别记录1MHz,2MHz,3MHz频率的谱线值。

点击查看答案

第3题

图NP3-11所示为场效应管电感三点式振荡电路,若管子的极间电容和RG不计,试计算振荡频率,并导出

振幅起振条件。图中C_G、C_D、C_S为交流旁路电容和隔直流电容。

点击查看答案

第4题

在图P9.15的多谐振荡电路中，已知集成施密特触发电路74HC14在V_DD为4.5V时的正向阈值电压和负

向阈值电压分别为V_T1=2.5V，V_T=1.6V。若C=2200pF，R=51kΩ，试求输出脉冲的重复频率。

点击查看答案

第5题

电路如图题6.4.5所示，其中V_DD=5V，R_si=2千欧，R_g1=60千欧，R_g2=40千欧，R_d=R≇

电路如图题6.4.5所示，其中V_DD=5V，R_si=2千欧，R_g1=60千欧，R_g2=40千欧，R_d=R_L=5.1 千欧，MOS管参数为K_n=0.8mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gn=1pF，C_gd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益A_rSM和源电压增益的上限频率f_H。